三星宣布开始初步量产GAA架构3nm工艺芯片

三星宣布开始初步量产GAA架构3nm工艺芯片。与5nm工艺相比，第一代3nm工艺相比5nm可以降低高达45%的功耗，提升23%的性能，减少16%的面积。

而第二代3nm工艺是为了降低功耗高达到50%，性能提高30%，面积减少35%。

半导体技术的全球领导者三星电子今天宣布，它已开始初步生产采用全环栅极(GAA)晶体管架构的3纳米(nm)工艺节点。

多桥通道FET(MBCFET™)是三星有史以来首次实施的GAA技术，它突破了FinFET的性能限制，通过降低电源电压水平来提高功率效率，同时通过增加驱动电流能力来提高性能。

三星的专有技术使用具有更宽通道的纳米片，与使用具有更窄通道的纳米线的GAA技术相比，它具有更高的性能和更高的能效。利用3nmGAA技术，三星将能够调整纳米片的通道宽度，以优化功耗和性能，以满足各种客户需求。

此外，GAA的设计灵活性对于设计技术协同优化(DTCO)1非常有利，这有助于提高功耗、性能、面积(PPA)优势。与5nm工艺相比，第一代3nm工艺相比5nm可以降低高达45%的功耗，提升23%的性能，减少16%的面积，而第二代3nm工艺是为了降低功耗高达到50%，性能提高30%，面积减少35%。