三星推出第一套 3nm 芯片 标志着一个重要的里程碑

上周有消息称，三星将于 7 月 25 日发布全球首款 3nm 芯片。今天，这家韩国公司为其 3nm GAA 芯片举行了首次发货仪式。仪式在公司位于韩国京畿道华城校区的 V1 线举行。

此次活动共有李昌阳(产业通商资源部长官)、Kye Kyung-hyeon(三星电子DS CEO)以及所有参与3nm开发和量产的重要员工约100人出席。 GAA 芯片。在活动中，三星表达了“以创新技术前进，成为世界第一”的雄心壮志。”

三星代工 副总裁 Jeong Ki-tae 表示，开发 3nm 芯片的技术障碍是通过公司以外的合作解决的。该公司与三星的其他业务部门以及全球制造和基础设施合作伙伴合作。

三星的 3nm 芯片使用 GAA(Gate All Around)技术，与现有的 FinFET 技术相比，具有更高的功率效率和更快的性能。该技术将用于为服务器和数据中心制造高性能计算芯片。它还将用于制造智能手机、平板电脑、可穿戴设备、笔记本电脑、个人电脑等的高端芯片。

这家韩国公司在 2000 年代初开始开发 GAA 技术，并于 2017 年成功将其应用于 3nm 芯片。经过几年的研发，该公司开始了其新芯片的试生产。这些芯片正在供应给一家中国加密货币矿业公司。

台积电是三星在半导体合同制造领域的主要竞争对手，预计将在 2022 年第四季度的某个时候生产 3nm 芯片。两家公司都将争取获得AMD、苹果、联发科、英伟达和高通等大客户的订单。